Справочник MOSFET. SL4449A

 

SL4449A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL4449A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SL4449A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL4449A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:784K  slkor
 sl4449a.pdf pdf_icon

SL4449A

SL4449A -30V/-7A P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High density cell design for Low RDS(ON)34m@10VD2S1-30V -7A High Speed switching D154m@4.5VApplicationD Battery protectionDD Power managementD Load switchD D D D SSSG4449A : Device codeXXXXXX : Code4449ASOP-8

Другие MOSFET... SL40P05Y , SL4184 , SL4406 , SL4407A , SL4409N , SL4410 , SL4421 , SL4435A , IRF640 , SL4459 , SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P .

History: GP1M009A020XX | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | 2SJ530S | CEM3060 | SQ3469EV

 

 
Back to Top

 


 
.