SL4459 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4459
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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SL4459 Datasheet (PDF)
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SL4459P-Channel MOSFETDESCRIPTIONThe SL4459 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gatevoltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -6.5ARDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
