SL4N150B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4N150B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
Encapsulados: TO3PB
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SL4N150B datasheet
sl4n150p sl4n150f sl4n150k sl4n150b sl4n150t.pdf
SL4N150 Series N -c h a n n e l 1 5 0 0 V, 6 , 4 A , P o w e r M O S F E T in T O -2 6 3 ,T O -2 4 7 ,T O -2 2 0 F , T O -3 P B , T O -3 P F Features R (on) DS Type V I P DSS D TOT max. SL4N150P 1500 V
Otros transistores... SL4410 , SL4421 , SL4435A , SL4449A , SL4459 , SL4614 , SL4813A , SL4822A , IRFB4110 , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D .
History: SM3320NSQG | IPB048N15N5 | IRLR2905PBF | IRHQ597110 | RQA0004PXDQS | 2SK2272-01R | BS107ARL1
History: SM3320NSQG | IPB048N15N5 | IRLR2905PBF | IRHQ597110 | RQA0004PXDQS | 2SK2272-01R | BS107ARL1
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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