Справочник MOSFET. SL4N150B

 

SL4N150B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL4N150B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для SL4N150B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL4N150B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1570K  slkor
 sl4n150p sl4n150f sl4n150k sl4n150b sl4n150t.pdf pdf_icon

SL4N150B

SL4N150 SeriesN -c h a n n e l 1 5 0 0 V, 6 , 4 A , P o w e r M O S F E T inT O -2 6 3 ,T O -2 4 7 ,T O -2 2 0 F , T O -3 P B , T O -3 P FFeaturesR (on)DSType V I PDSS D TOTmax.SL4N150P1500 V

Другие MOSFET... SL4410 , SL4421 , SL4435A , SL4449A , SL4459 , SL4614 , SL4813A , SL4822A , IRF640N , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D .

History: GSM6830 | SFF25P20S2I-02 | SIL2301 | AP6P064J | DHF10H035R | CJ3415 | HSSC3139

 

 
Back to Top

 


 
.