SL4N150T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL4N150T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL4N150T

SL4N150T Datasheet (PDF)

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sl4n150p sl4n150f sl4n150k sl4n150b sl4n150t.pdf

SL4N150 SeriesN -c h a n n e l 1 5 0 0 V, 6 , 4 A , P o w e r M O S F E T inT O -2 6 3 ,T O -2 4 7 ,T O -2 2 0 F , T O -3 P B , T O -3 P FFeaturesR (on)DSType V I PDSS D TOTmax.SL4N150P1500 V

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Liste

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