SL4N150T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL4N150T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SL4N150T Datasheet (PDF)
sl4n150p sl4n150f sl4n150k sl4n150b sl4n150t.pdf

SL4N150 SeriesN -c h a n n e l 1 5 0 0 V, 6 , 4 A , P o w e r M O S F E T inT O -2 6 3 ,T O -2 4 7 ,T O -2 2 0 F , T O -3 P B , T O -3 P FFeaturesR (on)DSType V I PDSS D TOTmax.SL4N150P1500 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 2N7002KT | RP1E100XN | STP5NB40 | 2SJ330 | L2SK3019LT1G | IPW50R399CP | 2SK3532
History: 2N7002KT | RP1E100XN | STP5NB40 | 2SJ330 | L2SK3019LT1G | IPW50R399CP | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent