Справочник MOSFET. SL4N150T

 

SL4N150T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL4N150T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SL4N150T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL4N150T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1570K  slkor
 sl4n150p sl4n150f sl4n150k sl4n150b sl4n150t.pdf pdf_icon

SL4N150T

SL4N150 SeriesN -c h a n n e l 1 5 0 0 V, 6 , 4 A , P o w e r M O S F E T inT O -2 6 3 ,T O -2 4 7 ,T O -2 2 0 F , T O -3 P B , T O -3 P FFeaturesR (on)DSType V I PDSS D TOTmax.SL4N150P1500 V

Другие MOSFET... SL4459 , SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , AON6414A , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K .

History: FS3VS-9 | FQPF32N12V2 | FIR4N65BPG | IRFV360 | CS16N60F | CS20N60ANH

 

 
Back to Top

 


 
.