SL4N150T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL4N150T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SL4N150T
SL4N150T Datasheet (PDF)
sl4n150p sl4n150f sl4n150k sl4n150b sl4n150t.pdf

SL4N150 SeriesN -c h a n n e l 1 5 0 0 V, 6 , 4 A , P o w e r M O S F E T inT O -2 6 3 ,T O -2 4 7 ,T O -2 2 0 F , T O -3 P B , T O -3 P FFeaturesR (on)DSType V I PDSS D TOTmax.SL4N150P1500 V
Другие MOSFET... SL4459 , SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , AON6414A , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K .
History: IPB05CN10NG | DMC3021LSDQ | IRF6810S | IRLU3103PBF | MPTO3N60 | TK62J60W | VB1101M
History: IPB05CN10NG | DMC3021LSDQ | IRF6810S | IRLU3103PBF | MPTO3N60 | TK62J60W | VB1101M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent