SL50N02D Todos los transistores

 

SL50N02D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL50N02D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SL50N02D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  slkor
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SL50N02D

SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m@4.5VD220V S1 50AcurrentD113m@2.5V Good stability and uniformity with high EASD Excellent package for good heat dissipationApplication Load switching Hard switched and high

 8.1. Size:955K  slkor
 sl50n06d sl50n06i.pdf pdf_icon

SL50N02D

SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit:60 V 20m@ 10 V50AGeneral Description:2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche

Otros transistores... SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , P55NF06 , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P .

History: AP80N04G | QM3009K | IRFSL11N50APBF | FXN0607CN | CJAB25SN06 | CEDM7004 | GSM8968

 

 
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