SL50N02D Todos los transistores

 

SL50N02D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL50N02D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

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SL50N02D datasheet

 ..1. Size:822K  slkor
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SL50N02D

SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFET Product Summary Features High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m @4.5V D2 20V S1 50A current D1 13m @2.5V Good stability and uniformity with high EAS D Excellent package for good heat dissipation Application Load switching Hard switched and high

 8.1. Size:955K  slkor
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SL50N02D

SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit 60 V 20m @ 10 V 50A General Description 2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3 scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche

Otros transistores... SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , IRF3710 , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P .

History: STS3417 | AOD407 | IXFQ50N50P3 | DMP2225L | MSF10N65 | TK5A60W

 

 

 

 

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