Справочник MOSFET. SL50N02D

 

SL50N02D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SL50N02D
   Маркировка: 50N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SL50N02D

 

 

SL50N02D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  slkor
 sl50n02d.pdf

SL50N02D SL50N02D

SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m@4.5VD220V S1 50AcurrentD113m@2.5V Good stability and uniformity with high EASD Excellent package for good heat dissipationApplication Load switching Hard switched and high

 8.1. Size:955K  slkor
 sl50n06d sl50n06i.pdf

SL50N02D SL50N02D

SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit:60 V 20m@ 10 V50AGeneral Description:2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IPB016N06L3G

 

 
Back to Top