SL50N02D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL50N02D
Маркировка: 50N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL50N02D Datasheet (PDF)
sl50n02d.pdf
SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m@4.5VD220V S1 50AcurrentD113m@2.5V Good stability and uniformity with high EASD Excellent package for good heat dissipationApplication Load switching Hard switched and high
sl50n06d sl50n06i.pdf
SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit:60 V 20m@ 10 V50AGeneral Description:2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
