SL50N02D - описание и поиск аналогов

 

SL50N02D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL50N02D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SL50N02D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL50N02D даташит

 ..1. Size:822K  slkor
 sl50n02d.pdf pdf_icon

SL50N02D

SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFET Product Summary Features High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m @4.5V D2 20V S1 50A current D1 13m @2.5V Good stability and uniformity with high EAS D Excellent package for good heat dissipation Application Load switching Hard switched and high

 8.1. Size:955K  slkor
 sl50n06d sl50n06i.pdf pdf_icon

SL50N02D

SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit 60 V 20m @ 10 V 50A General Description 2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3 scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche

Другие MOSFET... SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , IRF3710 , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P .

History: WTK6679 | 2SK3264-01MR | KHB5D0N50F2 | 2SK1151L | TMD5N50G | MDU1518URH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.