SL5N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL5N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SL5N100 MOSFET
SL5N100 Datasheet (PDF)
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf
SL5N100N-channel 1000V3-5 5AGeneral featuresType VDSS(@Tjmax) IDRDS(on)SL5N100P 1000 V
Otros transistores... SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , 2N7000 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C .
History: FTA06N65 | PSMN3R4-30BLE | FTA10N60C
History: FTA06N65 | PSMN3R4-30BLE | FTA10N60C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220