SL5N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL5N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.67 nC
Время нарастания (tr): 18.5 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
SL5N100 Datasheet (PDF)
..1. Size:3689K slkor
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SL5N100N-channel 1000V3-5 5AGeneral featuresType VDSS(@Tjmax) IDRDS(on)SL5N100P 1000 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .