SL5N100D Todos los transistores

 

SL5N100D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL5N100D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO252

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SL5N100D datasheet

 ..1. Size:3689K  slkor
 sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf pdf_icon

SL5N100D

SL5N100 N-channel 1000V 3-5 5A General features Type VDSS(@Tjmax) ID RDS(on) SL5N100P 1000 V

Otros transistores... SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , P55NF06 , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C , SL80N03 .

History: IXFQ50N50P3 | MSF10N65 | TK5A60W | STS3417 | AOD407 | DMP2225L

 

 

 

 

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