SL5N100D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL5N100D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 18.5 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL5N100D Datasheet (PDF)
..1. Size:3689K slkor
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SL5N100N-channel 1000V3-5 5AGeneral featuresType VDSS(@Tjmax) IDRDS(on)SL5N100P 1000 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .