Справочник MOSFET. SL5N100D

 

SL5N100D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL5N100D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL5N100D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL5N100D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3689K  slkor
 sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf pdf_icon

SL5N100D

SL5N100N-channel 1000V3-5 5AGeneral featuresType VDSS(@Tjmax) IDRDS(on)SL5N100P 1000 V

Другие MOSFET... SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , IRFB4115 , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C , SL80N03 .

History: NCE65NF099T

 

 
Back to Top

 


 
.