SL607B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL607B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL607B

SL607B Datasheet (PDF)

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sl607b.pdf

SL607BN-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFETProduct Summary NMOS V 30V DS I 12A D R ( at VGS=10V) 30mohm DS(ON) R ( at VGS=4.5V)DS(ON) 45mohm PMOS V -30VDS ID -8A R ( at VGS=-10V)DS(ON)55mohm R ( at VGS=-4.5V)DS(ON) 80mohm 100% V TestedDSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technol

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: