SL607B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL607B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TO252-4L
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SL607B datasheet
sl607b.pdf
SL607B N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 30V DS I 12A D R ( at VGS=10V) 30mohm DS(ON) R ( at VGS=4.5V) DS(ON) 45mohm PMOS V -30V DS I D -8A R ( at VGS=-10V) DS(ON) 55mohm R ( at VGS=-4.5V) DS(ON) 80mohm 100% V Tested DS General Description Trench Power LV MOSFET technol
Otros transistores... SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , IRF9540 , SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K .
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