SL607B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL607B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL607B
SL607B Datasheet (PDF)
sl607b.pdf
SL607BN-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFETProduct Summary NMOS V 30V DS I 12A D R ( at VGS=10V) 30mohm DS(ON) R ( at VGS=4.5V)DS(ON) 45mohm PMOS V -30VDS ID -8A R ( at VGS=-10V)DS(ON)55mohm R ( at VGS=-4.5V)DS(ON) 80mohm 100% V TestedDSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technol
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