SGB100N042 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGB100N042
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 71 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 775 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SGB100N042

SGB100N042 Datasheet (PDF)

..1. Size:605K cn super semi
sgb100n042 sgp100n042.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor100V Super Gate Power MOSFETSG*100N042Rev. 0.9Jul. 2021www.supersemi.com.cnSGB100N042/SGP100N042100V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 100VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120Athat is uniquely optimized to provide the most efficient hig

6.1. Size:708K cn super semi
sgb100n025 sgp100n025 sgw100n025.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor100V Super Gate Power MOSFETSG*100N025Rev. 1.1Jul. 2021www.supersemi.com.cnSGB100N025/SGP100N025/SGW100N025100V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 100VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 180Athat is uniquely optimized to provide the most ef

9.1. Size:789K infineon
sgb10n60a .pdf

SGB10N60A Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses G Short circuit withstand time 10 s E Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switc

9.2. Size:785K infineon
sgb10n60a.pdf

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: