SSW120R040C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW120R040C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 320 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 22 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 101 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 123 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW120R040C
SSW120R040C Datasheet (PDF)
ssw120r040c.pdf
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