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SSZ65R041SFD2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSZ65R041SFD2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO247-4L

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SSZ65R041SFD2 datasheet

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SSZ65R041SFD2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-Recovery SS*65R041SFD2 Rev. 1.0 Mar. 2023 www.supersemi.com.cn SSZ65R041SFD2 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process

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SSZ65R041SFD2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-Recovery SS*65R022SFD3 Rev. 1.0 Mar. 2023 www.supersemi.com.cn SSZ65R022SFD3 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process

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History: SWD7N65DA | AP02N90J-HF | SIS322DNT | 4N60KG-TND-R | 4N65KL-T2Q-T

 

 

 

 

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