SSZ65R041SFD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSZ65R041SFD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSZ65R041SFD2

SSZ65R041SFD2 Datasheet (PDF)

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ssz65r041sfd2.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*65R041SFD2Rev. 1.0Mar. 2023www.supersemi.com.cnSSZ65R041SFD2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process

7.1. Size:874K cn super semi
ssz65r022sfd3.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*65R022SFD3Rev. 1.0Mar. 2023www.supersemi.com.cnSSZ65R022SFD3650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process

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Liste

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