SWB031R06ET Todos los transistores

 

SWB031R06ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWB031R06ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 231 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de SWB031R06ET MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWB031R06ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  samwin
 swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWB031R06ET

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

 9.1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWB031R06ET

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.2. Size:646K  samwin
 swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB031R06ET

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.3. Size:728K  samwin
 swb038r10es swp038r10es.pdf pdf_icon

SWB031R06ET

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 Inverter , Li Battery Protect Bo

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , SWB015R03VLT , SWB020R03VLT , SWB030R04VT , AON6380 , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T , SWB050R95E8S , SWB051R08ES , SWB055R68E7T .

History: MRF5007 | DH100P35E

 

 
Back to Top

 


 
.