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SWB050R95E8S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB050R95E8S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 535 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: TO263

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SWB050R95E8S datasheet

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SWB050R95E8S

SW050R95E8S N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 100V High ruggedness ID 130A Low RDS(ON) (Typ 5.9m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 50nC) RDS(ON) 5.9m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Motor Drives 1 1. Gate 2.Dra

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SWB050R95E8S

SW056R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 5.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC) RDS(ON) 5.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.

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SWB050R95E8S

SW058R06E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET TO-220 TO-263 Features BVDSS 60V ID 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.8m )@VGS=10V RDS(ON) 5.8m Low Gate Charge (Typ 102nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application Telecom, Computer, Inverter 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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SWB050R95E8S

SW055R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m )@VGS=10V ID 110A Low Gate Charge (Typ 94nC) RDS(ON) 5.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.S

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History: AP01N60H-HF | BRI65R380C | 4N65KL-TA3-T | AP02N60J-H | JBL101N | IRF7322D1PBF

 

 

 

 

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