Справочник MOSFET. SWB050R95E8S

 

SWB050R95E8S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB050R95E8S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SWB050R95E8S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB050R95E8S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:841K  samwin
 swp050r95e8s swb050r95e8s.pdf pdf_icon

SWB050R95E8S

SW050R95E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 130A Low RDS(ON) (Typ 5.9m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 50nC)RDS(ON) : 5.9m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Motor Drives11. Gate 2.Dra

 9.1. Size:828K  samwin
 swp056r68e7t swb056r68e7t.pdf pdf_icon

SWB050R95E8S

SW056R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 120A Low RDS(ON) (Typ 5.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) :5.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.

 9.2. Size:833K  samwin
 swp058r06e7t swb058r06e7t.pdf pdf_icon

SWB050R95E8S

SW058R06E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETTO-220 TO-263FeaturesBVDSS : 60VID : 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.8m Low Gate Charge (Typ 102nC) Improved dv/dt Capability 21 12 2 100% Avalanche Tested3 3 Application:Telecom, Computer, Inverter11. Gate 2. Drain 3. Source3General Description

 9.3. Size:816K  samwin
 swp055r68e7t swb055r68e7t.pdf pdf_icon

SWB050R95E8S

SW055R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m)@VGS=10V ID : 110A Low Gate Charge (Typ 94nC)RDS(ON) : 5.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWB020R03VLT , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T , IRF730 , SWB051R08ES , SWB055R68E7T , SWB056R68E7T , SWB058R06E7T , SWB058R65E7T , SWB060R65E7T , SWB060R68E7T , SWB062R08E8T .

History: SI1050X | HGP115N15S | BSH114 | MTP2603Q6 | DACMH160N1200 | 2SK2233 | TSF16N60MR

 

 
Back to Top

 


 
.