SWB058R06E7T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWB058R06E7T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO263
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SWB058R06E7T datasheet
swp058r06e7t swb058r06e7t.pdf
SW058R06E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET TO-220 TO-263 Features BVDSS 60V ID 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.8m )@VGS=10V RDS(ON) 5.8m Low Gate Charge (Typ 102nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application Telecom, Computer, Inverter 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
swp058r65e7t swb058r65e7t.pdf
SW058R65E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 65V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.1m )@VGS=10V ID 100A Low Gate Charge (Typ 104nC) RDS(ON) 6.1m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.
swp050r95e8s swb050r95e8s.pdf
SW050R95E8S N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 100V High ruggedness ID 130A Low RDS(ON) (Typ 5.9m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 50nC) RDS(ON) 5.9m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Motor Drives 1 1. Gate 2.Dra
swp056r68e7t swb056r68e7t.pdf
SW056R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 5.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC) RDS(ON) 5.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.
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History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K
History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K
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