SWC2N40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWC2N40D
Código: SW2N40D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.18 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 7 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
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SWC2N40D Datasheet (PDF)
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SW2N40D N-channel Enhanced mode TO-92/SOT223 MOSFET Features SOT223 TO-92 BVDSS : 400V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:DC-DC,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 T
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