SWC2N40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWC2N40D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.18 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de SWC2N40D MOSFET
SWC2N40D Datasheet (PDF)
swc2n40d swsa2n40d.pdf

SW2N40D N-channel Enhanced mode TO-92/SOT223 MOSFET Features SOT223 TO-92 BVDSS : 400V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:DC-DC,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 T
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History: SSM5H16TU | SWI200R10VT | KNP2404A | IRFS232 | AP2310S | WMJ80R160S
History: SSM5H16TU | SWI200R10VT | KNP2404A | IRFS232 | AP2310S | WMJ80R160S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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