SWC2N40D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWC2N40D
Маркировка: SW2N40D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.18 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
Тип корпуса: TO92
SWC2N40D Datasheet (PDF)
swc2n40d swsa2n40d.pdf
SW2N40D N-channel Enhanced mode TO-92/SOT223 MOSFET Features SOT223 TO-92 BVDSS : 400V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:DC-DC,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 T
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918