SWC2N40D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWC2N40D
Маркировка: SW2N40D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.18 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.2 Ohm
Тип корпуса: TO92
SWC2N40D Datasheet (PDF)
..1. Size:940K samwin
swc2n40d swsa2n40d.pdf
swc2n40d swsa2n40d.pdf
SW2N40D N-channel Enhanced mode TO-92/SOT223 MOSFET Features SOT223 TO-92 BVDSS : 400V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:DC-DC,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
