STB31L01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB31L01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB31L01

STB31L01 Datasheet (PDF)

..1. Size:135K samhop
stb31l01.pdf

GrerrPPrPrProSTB31L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 26A 49 @ VGS=10VTO-263 Package.STB SERIESTO-263(DD-PAK)(TC=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

9.1. Size:1126K st
stb31n65m5 stf31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STB31N65M5, STF31N65M5STP31N65M5, STW31N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.124 , 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO220FP, TO220 and TO-247 packagesFeaturesTABVDS @ TJMAX RDS(on ) max. IDOrder code Package3132STB31N65M5D2PAKD PAK 21TO-220FPSTF31N65M5 TO-220FPTAB710 V 0.148 22 ASTP31N65M5 TO-220STW31N65M5 TO-247332TO-220 2TO-24

9.2. Size:1658K st
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID231STB31N65M53TAB 2D2PAK1STF31N65M5TO-220FPSTFI31N65M5 710 V

9.3. Size:258K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor STB31N65M5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Otros transistores... FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , STB416D , FDS6298 , IRFB7545 , FDS6574A , FDS6670AS , STA6968 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ , FDS6676AS , STA6620 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: