STB31L01 Todos los transistores

 

STB31L01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB31L01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de STB31L01 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STB31L01 datasheet

 ..1. Size:135K  samhop
stb31l01.pdf pdf_icon

STB31L01

Gre r r P Pr Pr Pro STB31L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 100V 26A 49 @ VGS=10V TO-263 Package. STB SERIES TO-263(DD-PAK) (TC=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.1. Size:1126K  st
stb31n65m5 stf31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf pdf_icon

STB31L01

STB31N65M5, STF31N65M5 STP31N65M5, STW31N65M5 Datasheet N-channel 650 V, 0.124 , 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO 220FP, TO 220 and TO-247 packages Features TAB VDS @ TJMAX RDS(on ) max. ID Order code Package 3 1 3 2 STB31N65M5 D2PAK D PAK 2 1 TO-220FP STF31N65M5 TO-220FP TAB 710 V 0.148 22 A STP31N65M5 TO-220 STW31N65M5 TO-247 3 3 2 TO-220 2 TO-24

 9.2. Size:1658K  st
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf pdf_icon

STB31L01

STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5 N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 STB31N65M5 3 TAB 2 D2PAK 1 STF31N65M5 TO-220FP STFI31N65M5 710 V

 9.3. Size:258K  inchange semiconductor
stb31n65m5.pdf pdf_icon

STB31L01

Isc N-Channel MOSFET Transistor STB31N65M5 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Otros transistores... FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , STB416D , FDS6298 , EMB04N03H , FDS6574A , FDS6670AS , STA6968 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ , FDS6676AS , STA6620 .

History: FKV550N | FDS5672

 

 

 


History: FKV550N | FDS5672

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

Popular searches

2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291

 

 

↑ Back to Top
.