SWD040R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD040R03VLT
Código: SW040R03VLT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
Carga de la puerta (Qg): 59 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0049 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD040R03VLT
SWD040R03VLT Datasheet (PDF)
swd040r03vlt.pdf
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SW040R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 5.1m)@VGS=4.5V(Typ 3.7m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.1m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 59nC)3.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested23 Application:Synchronous Rectification, 2Li Battery Protect Board, In
swd046r68e8t.pdf
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SW046R68E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 120A Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
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