SWD051R08ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD051R08ES
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 889 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de SWD051R08ES MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SWD051R08ES datasheet
swi051r08es swd051r08es.pdf
SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS 80V TO-251 TO-252 ID 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m )@VGS=10V RDS(ON) 5.6m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inv
swd055r03vt swi055r03vt.pdf
SW055R03VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS 30V TO-252 TO-251 High ruggedness ID 80A Low RDS(ON) (Typ 6.2m )@VGS=4.5V RDS(ON) 6.2m @VGS=4.5V (Typ 4.4m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 25nC) 4.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application DC-DC Converter,Motor Control S
swd056r68e7t.pdf
SW056R68E7T N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 68V High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 5.7m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 102nC) RDS(ON) 5.7m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.Source General Desc
swd050r95e8s.pdf
SW050R95E8S N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 100V High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 6.0m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 48nC) RDS(ON) 6.0m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board, Motor Drives 1 1. Gate 2.Drain 3.Source General
Otros transistores... SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , AO3400 , SWD055R03VT , SWD056R68E7T , SWD062R08E8T , SWD062R68E7T , SWD065R03VLT , SWD065R68E7T , SWD068R08E8T , SWD068R68E7T .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802