SWD051R08ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWD051R08ES
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 889 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SWD051R08ES
SWD051R08ES Datasheet (PDF)
swi051r08es swd051r08es.pdf

SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-251 TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 5.6m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inv
swd055r03vt swi055r03vt.pdf

SW055R03VTN-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFETFeaturesBVDSS : 30VTO-252 TO-251 High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 6.2m@VGS=4.5V(Typ 4.4m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 25nC)4.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1122 100% Avalanche Tested 233 Application:DC-DC Converter,Motor ControlS
swd056r68e7t.pdf

SW056R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 5.7m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 102nC)RDS(ON) :5.7m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Desc
swd050r95e8s.pdf

SW050R95E8SN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 100V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.0m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 48nC)RDS(ON) : 6.0m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Motor Drives11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral
Другие MOSFET... SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , IRF3710 , SWD055R03VT , SWD056R68E7T , SWD062R08E8T , SWD062R68E7T , SWD065R03VLT , SWD065R68E7T , SWD068R08E8T , SWD068R68E7T .
History: SSF1504D | KD2301 | SSF8N80
History: SSF1504D | KD2301 | SSF8N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802