SWD086R68E7T Todos los transistores

 

SWD086R68E7T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD086R68E7T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0112 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SWD086R68E7T Datasheet (PDF)

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SWD086R68E7T

SW086R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 70A Low RDS(ON) (Typ 9.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.6m Low Gate Charge (Typ 66nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

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SWD086R68E7T

SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.7m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.7m Low Gate Charge (Typ 86nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

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SWD086R68E7T

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A

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SWD086R68E7T

SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-251TO-252 DFN5*6BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A1 8Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)6354 Improved dv/dt Capability 9.2m@VGS=10V 100% Avalanche Tested1 122 Applicati

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History: STI23NM60ND | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH

 

 
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