STA6968 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STA6968

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: PDIP8

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STA6968 datasheet

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STA6968

S TA6968 S amHop Microelectronics C orp. Nov 12.2006 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 60 @ VG S = 10V 60V 5.3A S urface Mount Package. 70 @ VG S = 4.5V E S D Protected. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 P DIP -8 1 2 3 4 1 S 1 G 1 S

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