STA6968 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STA6968
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STA6968

STA6968 Datasheet (PDF)

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sta6968.pdf

S TA6968S amHop Microelectronics C orp.Nov 12.2006Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.60 @ VG S = 10V60V 5.3AS urface Mount Package.70 @ VG S = 4.5VE S D Protected.D1 D1 D2 D28 7 6 5P DIP -81 2 3 41S 1 G 1 S

Otros transistores... FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , STB416D , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS , 5N65 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ , FDS6676AS , STA6620 , FDS6679AZ , FDS6680AS , STA6611 .

Liste

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