Справочник MOSFET. STA6968

 

STA6968 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STA6968
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: PDIP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STA6968 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  samhop
 sta6968.pdf pdf_icon

STA6968

S TA6968S amHop Microelectronics C orp.Nov 12.2006Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.60 @ VG S = 10V60V 5.3AS urface Mount Package.70 @ VG S = 4.5VE S D Protected.D1 D1 D2 D28 7 6 5P DIP -81 2 3 41S 1 G 1 S

Другие MOSFET... FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , STB416D , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS , CEP83A3 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ , FDS6676AS , STA6620 , FDS6679AZ , FDS6680AS , STA6611 .

History: OM60N10SC | RU1HL8L | IXTH10N60 | TSM4946DCS | UPA1770 | IPP65R110CFDA | PSMN6R7-40MLD

 

 
Back to Top

 


 
.