SWD15N65J Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD15N65J  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD15N65J datasheet

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SWD15N65J

SW15N65J N-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-252 MOSFET Features TO-220SF TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 15A Low RDS(ON) (Typ 0.22 )@VGS=10V RDS(ON) 0.22 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application LED , Charger, PC Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This p

 9.1. Size:997K  samwin
 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWD15N65J

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 9.2. Size:997K  samwin
 sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWD15N65J

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

Otros transistores... SWD106R95VS, SWD10N50K, SWD10N65K, SWD10N65K2, SWD10N80K2, SWD110R03VT, SWD13N60K2, SWD13N65K2, IRFP260, SWD160R12VT, SWD19N10, SWD1N60DC, SWD200R10VT, SWD20N20D, SWD2N40DC, SWD2N60DC, SWD2N65K