SWD4N70K Todos los transistores

 

SWD4N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD4N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de SWD4N70K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWD4N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  samwin
 swf4n70k swi4n70k swd4n70k.pdf pdf_icon

SWD4N70K

SW4N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS : 700V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Charger,LED, Adaptor 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 G

 0.1. Size:907K  samwin
 swf4n70k2 swn4n70k2 swd4n70k2.pdf pdf_icon

SWD4N70K

SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS :700V TO-220F TO-251N TO-252 ID : 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15)@VGS=10V RDS(ON) :1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S

 7.1. Size:1038K  samwin
 sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf pdf_icon

SWD4N70K

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.2. Size:1038K  samwin
 swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf pdf_icon

SWD4N70K

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD , SWD4N65K , SWD4N65K2 , 5N65 , SWD4N70K2 , SWD4N70L , SWD4N80D , SWD4N80K , SWD540 , NCE60R360D , NCE60R360 , NCE60R360F .

History: SQM110N06-06 | SIF10N65C | NCE0157 | SWD200R10VT | SDF054 | MMFTN3019E | FHP6N90A

 

 
Back to Top

 


 
.