SWD4N70K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD4N70K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de SWD4N70K MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SWD4N70K datasheet
swf4n70k swi4n70k swd4n70k.pdf
SW4N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charger,LED, Adaptor 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 G
swf4n70k2 swn4n70k2 swd4n70k2.pdf
SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 ID 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15 )@VGS=10V RDS(ON) 1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S
sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf
SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf
SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
Otros transistores... SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD , SWD4N65K , SWD4N65K2 , 2SK3568 , SWD4N70K2 , SWD4N70L , SWD4N80D , SWD4N80K , SWD540 , NCE60R360D , NCE60R360 , NCE60R360F .
History: HCFL60R190 | STW52NK25Z
History: HCFL60R190 | STW52NK25Z
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008
