Справочник MOSFET. SWD4N70K

 

SWD4N70K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD4N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 21 ns
   Выходная емкость (Cd): 26 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SWD4N70K

 

 

SWD4N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  samwin
swf4n70k swi4n70k swd4n70k.pdf

SWD4N70K
SWD4N70K

SW4N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS : 700V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Charger,LED, Adaptor 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 G

 0.1. Size:907K  samwin
swf4n70k2 swn4n70k2 swd4n70k2.pdf

SWD4N70K
SWD4N70K

SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS :700V TO-220F TO-251N TO-252 ID : 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15)@VGS=10V RDS(ON) :1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S

 7.1. Size:1038K  samwin
sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf

SWD4N70K
SWD4N70K

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.2. Size:1038K  samwin
swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf

SWD4N70K
SWD4N70K

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.3. Size:1046K  samwin
swf4n70l swn4n70l swd4n70l.pdf

SWD4N70K
SWD4N70K

SW4N70L N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 700V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 1 3 3 Application: LED,Charge, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top