SWD540 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD540
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SWD540 MOSFET
SWD540 Datasheet (PDF)
swd540 swp540 swf540.pdf

SW540 N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220/TO-220F MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-252 BVDSS : 100V ID : 32A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m)@VGS=10V RDS(ON) : 32m Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 1 Application: Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Pro
Otros transistores... SWD4N65DD , SWD4N65K , SWD4N65K2 , SWD4N70K , SWD4N70K2 , SWD4N70L , SWD4N80D , SWD4N80K , 7N60 , NCE60R360D , NCE60R360 , NCE60R360F , SWD6N60D , SWD6N65D , SWD6N65K , SWD6N70DB , SWD6N80DE .
History: NTMS10P02R2G | STP270N04 | PSMN3R9-25MLC | FDMA86265P | SSW65R099SFD
History: NTMS10P02R2G | STP270N04 | PSMN3R9-25MLC | FDMA86265P | SSW65R099SFD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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