SWD540 Todos los transistores

 

SWD540 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD540

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD540 datasheet

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SWD540

SW540 N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220/TO-220F MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-252 BVDSS 100V ID 32A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m )@VGS=10V RDS(ON) 32m Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 1 Application Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Pro

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