SWD540 - описание и поиск аналогов

 

SWD540. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD540

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD540

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD540 даташит

 ..1. Size:760K  samwin
 swd540 swp540 swf540.pdf pdf_icon

SWD540

SW540 N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220/TO-220F MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-252 BVDSS 100V ID 32A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m )@VGS=10V RDS(ON) 32m Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 1 Application Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Pro

Другие MOSFET... SWD4N65DD , SWD4N65K , SWD4N65K2 , SWD4N70K , SWD4N70K2 , SWD4N70L , SWD4N80D , SWD4N80K , AO3407 , NCE60R360D , NCE60R360 , NCE60R360F , SWD6N60D , SWD6N65D , SWD6N65K , SWD6N70DB , SWD6N80DE .

History: AOY514 | AP0904GMT | RUE002N02 | SWD085R68E7T | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.