Справочник MOSFET. SWD540

 

SWD540 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD540
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SWD540

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD540 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  samwin
 swd540 swp540 swf540.pdf pdf_icon

SWD540

SW540 N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220/TO-220F MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-252 BVDSS : 100V ID : 32A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m)@VGS=10V RDS(ON) : 32m Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 1 Application: Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Pro

Другие MOSFET... SWD4N65DD , SWD4N65K , SWD4N65K2 , SWD4N70K , SWD4N70K2 , SWD4N70L , SWD4N80D , SWD4N80K , 7N60 , NCE60R360D , NCE60R360 , NCE60R360F , SWD6N60D , SWD6N65D , SWD6N65K , SWD6N70DB , SWD6N80DE .

History: RU55200Q | NTTFS3A08PZ | MI4800 | SIR876DP | IRL3715S | NTR1P02L | FDBL0110N60

 

 
Back to Top

 


 
.