SWD8N65D Todos los transistores

 

SWD8N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD8N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de SWD8N65D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWD8N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1171K  samwin
 swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf pdf_icon

SWD8N65D

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS : 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:Charg

 0.1. Size:1132K  samwin
 sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf pdf_icon

SWD8N65D

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 0.2. Size:1066K  samwin
 swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf pdf_icon

SWD8N65D

SW8N65DBN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFETFeatures BVDSS : 650VTO-251 TO-252TO-220F TO-262NID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC)2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 11 12 22 2 Application:LED, Charger, PC Power3 33 311. Gate 2. Drain

 9.1. Size:986K  samwin
 swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf pdf_icon

SWD8N65D

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWD7N65DD , SWD7N65J , SWD7N65K , SWD7N65K2 , SWD7N65M , SWD7N70K , SWD80N04V , SWD830D1 , 8N60 , SWD8N70K , SWD8N80K , SWD9N10V1 , SWD9N25D , SWD9N50D , SWF10N50K , SWF10N60D , SWF10N65D .

History: STK822 | WPM3020 | IPL60R185C7 | SRT04N016L | IRL3715ZS | KMB3D5PS30QA | IPN50R800CE

 

 
Back to Top

 


 
.