SWF10N65K2 Todos los transistores

 

SWF10N65K2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWF10N65K2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SWF10N65K2 datasheet

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SWF10N65K2

SW10N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-263 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.3 )@VGS=10V RDS(ON) 0.3 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application Charge, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 5.1. Size:1328K  samwin
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SWF10N65K2

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36 )@VGS=10V RDS(ON) 0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

 6.1. Size:1319K  samwin
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SWF10N65K2

SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1

 6.2. Size:728K  samwin
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SWF10N65K2

SAMWIN SW10N65 N-channel MOSFET TO-220F TO-220 BVDSS 650V Features ID 10.0A High ruggedness RDS(ON) 1.1ohm RDS(ON) (Max 1.1 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This

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History: AOWF14N50 | SW4N70B

 

 

 

 

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