SWF15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWF15N50
   Código: SW15N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWF15N50

SWF15N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:737K samwin
swf15n50.pdf

SW15N50 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 500V High ruggedness ID : 15A Low RDS(ON) (Typ 0.26)@VGS=10V RDS(ON) : 0.26 Low Gate Charge (Typ 66nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application: DC-DC,LED,PC 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

0.1. Size:738K samwin
swf15n50da.pdf

SW15N50DA N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.33)@VGS=10V ID : 15A Low Gate Charge (Typ 57nC) RDS(ON) : 0.33 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

8.1. Size:742K samwin
swf15n65d.pdf

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 15A High ruggedness RDS(ON) : 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

8.2. Size:742K samwin
sw15n65d swf15n65d.pdf

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