SWF15N50 Todos los transistores

 

SWF15N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWF15N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SWF15N50 datasheet

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SWF15N50

SW15N50 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 500V High ruggedness ID 15A Low RDS(ON) (Typ 0.26 )@VGS=10V RDS(ON) 0.26 Low Gate Charge (Typ 66nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application DC-DC,LED,PC 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

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SWF15N50

SW15N50DA N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.33 )@VGS=10V ID 15A Low Gate Charge (Typ 57nC) RDS(ON) 0.33 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

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SWF15N50

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 15A High ruggedness RDS(ON) 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

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SWF15N50

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 15A High ruggedness RDS(ON) 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

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History: SW4N70K | AOW14N50 | HD1H15A

 

 

 

 

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