SWF15N50 - описание и поиск аналогов

 

SWF15N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF15N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF15N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF15N50 даташит

 ..1. Size:737K  samwin
 swf15n50.pdf pdf_icon

SWF15N50

SW15N50 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 500V High ruggedness ID 15A Low RDS(ON) (Typ 0.26 )@VGS=10V RDS(ON) 0.26 Low Gate Charge (Typ 66nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application DC-DC,LED,PC 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

 0.1. Size:738K  samwin
 swf15n50da.pdf pdf_icon

SWF15N50

SW15N50DA N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.33 )@VGS=10V ID 15A Low Gate Charge (Typ 57nC) RDS(ON) 0.33 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

 8.1. Size:742K  samwin
 swf15n65d.pdf pdf_icon

SWF15N50

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 15A High ruggedness RDS(ON) 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

 8.2. Size:742K  samwin
 sw15n65d swf15n65d.pdf pdf_icon

SWF15N50

SW15N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 15A High ruggedness RDS(ON) 0.57 Low RDS(ON) (Typ 0.57 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K , SWF14N50D , IRF1404 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K , SWF18N60D .

History: G08N03D2 | AOWF10N60 | SWD80N04V | 4N60L-TN3-R | RUF020N02 | SWD4N50K | HM4354

 

 

 

 

↑ Back to Top
.