SWF20N50D Todos los transistores

 

SWF20N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF20N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWF20N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  samwin
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SWF20N50D

SW20N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET Features TO-220F TO-247 BVDSS : 500V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.19)@VGS=10V RDS(ON) : 0.19 Low Gate Charge (Typ 82nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Charger, Adaptor, LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General De

 8.1. Size:694K  samwin
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SWF20N50D

SW20N60K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.15)@VGS=10V RDS(ON) : 0.15 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:LED,Charger,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.2. Size:716K  samwin
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SWF20N50D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 20A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

 8.3. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWF20N50D

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS : 650V High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

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History: CS10N50FA9R | SSF11NS70UF | STD3N30L-1 | SI4368DY | HGA105N15M | QM03N65D | SWK15N04V

 

 
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