Справочник MOSFET. SWF20N50D

 

SWF20N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF20N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF20N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF20N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  samwin
 swf20n50d swt20n50d.pdf pdf_icon

SWF20N50D

SW20N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET Features TO-220F TO-247 BVDSS : 500V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.19)@VGS=10V RDS(ON) : 0.19 Low Gate Charge (Typ 82nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Charger, Adaptor, LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General De

 8.1. Size:694K  samwin
 swf20n60k.pdf pdf_icon

SWF20N50D

SW20N60K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.15)@VGS=10V RDS(ON) : 0.15 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:LED,Charger,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.2. Size:716K  samwin
 swf20n65d swt20n65d.pdf pdf_icon

SWF20N50D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 20A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

 8.3. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWF20N50D

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS : 650V High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K , SWF18N60D , IRFB4110 , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D , SWF2N65DB , SWF2N70D , SWF2N90K2 .

History: TK8A50DA | NP36P06KDG

 

 
Back to Top

 


 
.