SWF20N50D - описание и поиск аналогов

 

SWF20N50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF20N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF20N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF20N50D даташит

 ..1. Size:803K  samwin
swf20n50d swt20n50d.pdfpdf_icon

SWF20N50D

SW20N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET Features TO-220F TO-247 BVDSS 500V ID 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.19 )@VGS=10V RDS(ON) 0.19 Low Gate Charge (Typ 82nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Charger, Adaptor, LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General De

 8.1. Size:694K  samwin
swf20n60k.pdfpdf_icon

SWF20N50D

SW20N60K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 600V ID 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V RDS(ON) 0.15 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application LED,Charger,PC Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 8.2. Size:716K  samwin
swf20n65d swt20n65d.pdfpdf_icon

SWF20N50D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

 8.3. Size:1121K  samwin
swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdfpdf_icon

SWF20N50D

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS 650V High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

Другие MOSFET... SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K , SWF18N60D , AON6414A , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D , SWF2N65DB , SWF2N70D , SWF2N90K2 .

History: RTR025N03 | SWD065R68E7T | 2SK2887

 

 

 

 

↑ Back to Top
.