SWF20N65D Todos los transistores

 

SWF20N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWF20N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SWF20N65D datasheet

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SWF20N65D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

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SWF20N65D

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS 650V High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

 6.2. Size:663K  samwin
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SWF20N65D

SW20N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 37nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 2 3 Application Charger, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

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SWF20N65D

SW20N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 37nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 2 3 Application Charger, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

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