SWF20N65D - описание и поиск аналогов

 

SWF20N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF20N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF20N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF20N65D даташит

 ..1. Size:716K  samwin
 swf20n65d swt20n65d.pdf pdf_icon

SWF20N65D

SW20N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Desc

 6.1. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWF20N65D

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS 650V High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

 6.2. Size:663K  samwin
 swf20n65k2.pdf pdf_icon

SWF20N65D

SW20N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 37nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 2 3 Application Charger, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 6.3. Size:635K  samwin
 sw20n65k2 swf20n65k2.pdf pdf_icon

SWF20N65D

SW20N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 650V Features ID 20A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 37nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 2 3 Application Charger, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K , SWF18N60D , SWF20N50D , IRFB4115 , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D , SWF2N65DB , SWF2N70D , SWF2N90K2 , SWF3N80D .

History: RUM002N02 | 2SK1562 | MMN600DB012B | IAUC100N04S6N022 | KCY3303S | MS5N100S | RUL035N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.