SWF2N70D Todos los transistores

 

SWF2N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF2N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWF2N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWF2N70D

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 9.1. Size:705K  samwin
 swf2n65d.pdf pdf_icon

SWF2N70D

SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 650V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V RDS(ON) : 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc

 9.2. Size:783K  samwin
 swf2n90k2.pdf pdf_icon

SWF2N70D

SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 900V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

 9.3. Size:645K  samwin
 swf2n60db.pdf pdf_icon

SWF2N70D

SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Motor ControlInverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

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History: CP650 | WM02N08L | HGN035N08AL

 

 
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