SWF2N70D
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWF2N70D
Маркировка: SW2N70D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18.1
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 2
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 11
nC
trⓘ -
Время нарастания: 22
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2
Ohm
Тип корпуса:
TO220F
Аналог (замена) для SWF2N70D
SWF2N70D
Datasheet (PDF)
..1. Size:1061K samwin
swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf 
SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
9.1. Size:705K samwin
swf2n65d.pdf 
SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 650V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V RDS(ON) : 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc
9.2. Size:783K samwin
swf2n90k2.pdf 
SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 900V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is
9.3. Size:645K samwin
swf2n60db.pdf 
SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Motor ControlInverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power
9.4. Size:644K samwin
swf2n65db.pdf 
SW2N65DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 11nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
