SWF4N60K Todos los transistores

 

SWF4N60K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF4N60K
   Código: SW4N60K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWF4N60K Datasheet (PDF)

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SWF4N60K

SW4N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS : 600V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 1)@VGS=10V RDS(ON) : 1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adapter,LED, Charger 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3

 7.1. Size:965K  samwin
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SWF4N60K

SW4N60DN-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFETFeaturesBVDSS : 600VTO-251S TO-251M TO-252TO-220F TO-220FT TO-251ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9)RDS(ON) : 1.9@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC)111 121 212 2 23 Improved dv/dt Capability 2 33 2333 100% Avalanche Tested Application:A

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SWF4N60K

SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35)@VGS=10V RDS(ON) : 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 7.3. Size:916K  samwin
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SWF4N60K

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

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History: NCE3415E | NP36N055SLE

 

 
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