SWF5N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWF5N60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SWF5N60D datasheet

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SWF5N60D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS 600V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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SWF5N60D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS 300V High ruggedness ID 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76 )@VGS=10V RDS(ON) 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

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