SWF5N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF5N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF5N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF5N60D даташит

 ..1. Size:780K  samwin
 swf5n60d swmn5n60d.pdf pdf_icon

SWF5N60D

SW5N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-220SF BVDSS 600V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ1.9 )@VGS=10V RDS(ON) 1.9 Low Gate Charge (Typ17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 9.1. Size:866K  samwin
 swi5n30d swf5n30d.pdf pdf_icon

SWF5N60D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS 300V High ruggedness ID 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76 )@VGS=10V RDS(ON) 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

Другие IGBT... SWF4N70D1, SWF4N70K, SWF4N70K2, SWF4N70L, SWF4N80D, SWF4N80K, SWF540, SWF5N30D, IRF1010E, SWF6N60D, SWF6N60K, SWF6N65K, SWF6N70D, SWF6N70DB, SWF6N90D, SWF740D, SWF7N60K