SWH045R02VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWH045R02VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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SWH045R02VT datasheet

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SWH045R02VT

SW045R02VT N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features DFN3*3 BVDSS 20V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m )@VGS=2.5V ID 20A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 3.7m )@VGS=4.5V 2 7 RDS(ON) 4.6m @VGS=2.5V Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=10V 6 3 5 Low Gate Charge (Typ 50nC) 4 3.7m @VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 3.3m @VGS=10V 100% Avalanche Teste

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SWH045R02VT

SW040R03VLT Features N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET High ruggedness BVDSS 30V DFN3*3 Low RDS(ON) (Typ 5.5m )@VGS=4.5V (Typ 4.0m )@VGS=10V ID 65A 1 8 Low Gate Charge (Typ 59nC) RDS(ON) 5.5m @VGS=4.5V 2 7 Improved dv/dt Capability 6 3 100% Avalanche Tested 5 4.0m @VGS=10V 4 Application Synchronous Rectification, D Li Battery Prote

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