SWI051R08ES Todos los transistores

 

SWI051R08ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWI051R08ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 889 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWI051R08ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  samwin
 swi051r08es swd051r08es.pdf pdf_icon

SWI051R08ES

SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-251 TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 5.6m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inv

 9.1. Size:659K  samwin
 swd055r03vt swi055r03vt.pdf pdf_icon

SWI051R08ES

SW055R03VTN-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFETFeaturesBVDSS : 30VTO-252 TO-251 High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 6.2m@VGS=4.5V(Typ 4.4m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 25nC)4.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1122 100% Avalanche Tested 233 Application:DC-DC Converter,Motor ControlS

Otros transistores... SWHA35N10V , SWHA40N06V , SWHA50P03 , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , MMD60R360PRH , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT .

History: SSD20N10-250D

 

 
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