SWI051R08ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI051R08ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 889 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI051R08ES datasheet

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SWI051R08ES

SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS 80V TO-251 TO-252 ID 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m )@VGS=10V RDS(ON) 5.6m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inv

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SWI051R08ES

SW055R03VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS 30V TO-252 TO-251 High ruggedness ID 80A Low RDS(ON) (Typ 6.2m )@VGS=4.5V RDS(ON) 6.2m @VGS=4.5V (Typ 4.4m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 25nC) 4.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application DC-DC Converter,Motor Control S

Otros transistores... SWHA35N10V, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, RU7088R, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT