SWI055R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWI055R03VT
Código: SW055R03VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 113.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.8 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 59 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 327 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWI055R03VT
SWI055R03VT Datasheet (PDF)
swd055r03vt swi055r03vt.pdf
SW055R03VTN-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFETFeaturesBVDSS : 30VTO-252 TO-251 High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 6.2m@VGS=4.5V(Typ 4.4m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 25nC)4.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1122 100% Avalanche Tested 233 Application:DC-DC Converter,Motor ControlS
swi051r08es swd051r08es.pdf
SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-251 TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 5.6m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inv
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